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MWI 75-12A8
32
24
V CE = 600 V
V GE  = ±15 V
R G   =  15  W
T VJ   = 125°C
t D(ON)
8
6
20
15
V CE = 600 V
V GE  = ±15 V
R G   =  15  W
T VJ   = 125°C
E on
[mJ]
16
4
t
[ns]
E off
[mJ]
10
8
Eon
2
5
0
0
40
80
I C [A]
120
0
160
0
0
40
80
I C [A]
120
160
32
FIG. 7 
TYP. TURN ON ENERGY AND SWITCHING
times versus collector current
8
15
FIG. 8 
TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING
times versus collector current
t D(ON)
24
6
E on
[mJ]
16
4
t
[ns]
E off
[mJ]
10
V CE  = 600 V
V GE = ±15 V
I C     =  75 A
V CE   = 600 V
5
T VJ   = 125°C
8
Eon
V GE = ±15 V
I C     =   75 A
2
T VJ   = 125°C
0
0
10
20
30
R G [ W ]
40
50
0
60
0
0
10
20
30 40
R G [ W ]
50
60
200
150
FIG. 9 
TYP. TURN ON ENERGY AND SWITCHING
times versus gate resistor
1
0.1
FIG.10  TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING
times versus gate resistor
diode
IGBT
I CM
[A]
100
50
R G  = 15  W
T VJ = 125°C
Z thJC
[K/W]
0.01
0.001
SINGLE PULSE
0
0
200
400
600
800 1000 1200 1400
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
MWI75-12A8
10
V CE [V]
FIG. 11 REVERSE BIASED SAFE OPERATING AREA RBSOA
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
t [s]
FIG. 12  TYP. TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
20090220b
6-6
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